国盛证券：重视HBM、3D DRAM、定制化存储机遇 中国厂商有望实现弯道超车
国盛证券发布研报称，随着AI算力需求爆发，HBM(高带宽内存)已成为DRAM市场增长的核心驱动力，预计全球市场规模将从2024年的170亿美元飙升至2030年的980亿美元，年复合增长率达33%。3DDRAM技术通过垂直化架构突破传统制程极限，有望成为长期解
3ddram
科学家实现沉积工艺突破，成功开发120层高密度3D DRAM结构
众所周知，现在 NAND 闪存普遍采用 3D 堆叠结构。短短十年内，3D NAND 层数就从 2014 年的 24 层增加到了 SK 海力士的 321 层（2024 年 11 月宣布量产），而我国的长江存储第五代 3D TLC NAND 闪存据传也达到了 29
打造下一代3D DRAM
想象一下，用数百片非常薄、略有不同的材料薄片建造一座塔，每片薄片都会自行弯曲或变形。这正是比利时微电子研究中心 (IMEC) 和根特大学的研究人员在 300 毫米晶圆上交替生长 120 层硅 (Si) 和硅锗 (SiGe) 材料时所取得的成果——这是迈向三维
SK海力士：4F2 VG和3D DRAM技术将应用于10nm及以下级内存
2025 年 IEEE VLSI 研讨会正于日本东京举行。SK 海力士在会议上提出了未来 30 年的新 DRAM 技术路线图和可持续创新方向。